Влияние содержания алюминия в барьерном слое AlxGa1–xAs на дрейфовую скорость электронов в квантовой проволоке на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs

Abstract

Electron transport in GaAs/AlxGa1–xAs gated quantum wire is studied by means of ensemble Monte-Carlo simulations at T = 300 K. The influence of alloy composition x on electron drift velocity is investigated for different values of longitudinal electric field and gate biases applied to the structure. = Представлены результаты моделирования методом Монте-Карло переноса электронов в квантовой проволоке с двумя затворами на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs при температуре 300 К. Исследовано влияние состава AlxGa1–xAs на величину установившейся дрейфовой скорости электронов в структуре при различных значениях продольного электрического поля и затворного напряжения.