Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/6109
Title: | Влияние дизайна гетероструктуры на порог генерации лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремнии |
Authors: | Андриевский, А. В. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | Jan-2008 |
Publisher: | БГУ |
Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2008. - N 1. - С. 45-48. |
Abstract: | This article is devoted to the investigation of the influence of heterostructure design on lasing characteristics of the InGaN/GaN multiple quantum well laser on silicon substrate, performed by computer modelling. It is shown that heterogeneity in a growth process can lead to different far-field patterns, that is related to the alteration of lasing threshold for different modes. It is shown that lasing threshold be reduced by variation of the layer thickness. = Проведено исследование влияния толщины слоев гетероструктуры на генерационные характеристики лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремниевой подложке при помощи компьютерного моделирования. Показано, что неоднородность роста структуры в различных местах образца может приводить к различиям в картине дальнего поля излучения, что связано с изменением порогового коэффициента усиления лазерных мод. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/6109 |
ISSN: | 0321-0367 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2008, №1 (январь) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
pages 45-48 from Вестник_БГУ_Январь_2008_Серия1_№1.pdf | 1,86 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.