Влияние дизайна гетероструктуры на порог генерации лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремнии

Abstract

This article is devoted to the investigation of the influence of heterostructure design on lasing characteristics of the InGaN/GaN multiple quantum well laser on silicon substrate, performed by computer modelling. It is shown that heterogeneity in a growth process can lead to different far-field patterns, that is related to the alteration of lasing threshold for different modes. It is shown that lasing threshold be reduced by variation of the layer thickness. = Проведено исследование влияния толщины слоев гетероструктуры на генерационные характеристики лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремниевой подложке при помощи компьютерного моделирования. Показано, что неоднородность роста структуры в различных местах образца может приводить к различиям в картине дальнего поля излучения, что связано с изменением порогового коэффициента усиления лазерных мод.