Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/6109
Title: Влияние дизайна гетероструктуры на порог генерации лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремнии
Authors: Андриевский, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: Jan-2008
Publisher: БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2008. - N 1. - С. 45-48.
Abstract: This article is devoted to the investigation of the influence of heterostructure design on lasing characteristics of the InGaN/GaN multiple quantum well laser on silicon substrate, performed by computer modelling. It is shown that heterogeneity in a growth process can lead to different far-field patterns, that is related to the alteration of lasing threshold for different modes. It is shown that lasing threshold be reduced by variation of the layer thickness. = Проведено исследование влияния толщины слоев гетероструктуры на генерационные характеристики лазера с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN на кремниевой подложке при помощи компьютерного моделирования. Показано, что неоднородность роста структуры в различных местах образца может приводить к различиям в картине дальнего поля излучения, что связано с изменением порогового коэффициента усиления лазерных мод.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/6109
ISSN: 0321-0367
Appears in Collections:2008, №1 (январь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
pages 45-48 from Вестник_БГУ_Январь_2008_Серия1_№1.pdf1,86 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.