Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/51069
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПилипенко, Владимир Александрович-
dc.date.accessioned2013-11-06T14:22:24Z-
dc.date.available2013-11-06T14:22:24Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/51069-
dc.description.abstractПрограмма курса "Технология производства интегральных микросхем" разработана для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям). Представленные в данной программе вопросы направлены на формирование базы углубленной подготовки студентов по специализации. Главная цель курса - дать необходимые количественные и качественные оценки процессов электропереноса в материалах с учетом особенностей планарной технологии, используемой в электронной промышленности. Спецкурс посвящен вопросам теории и технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС). Рассматриваются основные пути увеличения степени интеграции интегральных микросхем (ИМС), приводятся особенности планарной технологии. Рассматриваются основные технологические операции создания ИМС: подготовка поверхности кремниевых пластин, эпитаксиальное наращивание пленок кремния, ионное легирование кремния, литография, формирование металлизированных соединений. Большое внимание уделяется физическим основам технологии СБИС и в частности конструктивно-технологическим особенностям методов межкомпонентной изоляции активных и пассивных элементов микросхем. Приводятся основные уравнения, описывающие работу биполярного транзистора и позволяющие проводить расчет основных его характеристик.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleТехнология производства интегральных микросхем : учебная программа для специальности 1-31 04 01 «Физика (по направлениям)» (1-31 04 01-02 производственная деятельность) № УД-2041/баз.ru
dc.typesyllabusru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (архив)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Пилипенко_02-14_УП_Технология производства ИМС.pdf169,82 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.