Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/51028
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.-
dc.contributor.authorВолобуев, В. С.-
dc.contributor.authorЛукашевич, М. Г.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.date.accessioned2013-11-06T11:50:47Z-
dc.date.available2013-11-06T11:50:47Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 208-211.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/51028-
dc.description.abstractВ настоящей работе методом микроиндентирования исследовались физико-механические характеристики промышленного фоторезиста ФП 9/20 на основе фенолформальдегидных смол. Приведенные экспериментальные данные указывают на то, что процессы радиационного дефектообразования при низкоэнергетичной ионной имплантации структур фотополимер – кремний протекают далеко за областью проецированного пробега ионов Sb.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИсследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.