Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/51028Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Волобуев, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Лукашевич, М. Г. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-11-06T11:50:47Z | - |
| dc.date.available | 2013-11-06T11:50:47Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 208-211. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/51028 | - |
| dc.description.abstract | В настоящей работе методом микроиндентирования исследовались физико-механические характеристики промышленного фоторезиста ФП 9/20 на основе фенолформальдегидных смол. Приведенные экспериментальные данные указывают на то, что процессы радиационного дефектообразования при низкоэнергетичной ионной имплантации структур фотополимер – кремний протекают далеко за областью проецированного пробега ионов Sb. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремний | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Волобуев,М.Г. Лукашевич, В.С. Просолович, В.Б. Оджаев.pdf | 846,5 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.