Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49736Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Литвинов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
| dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Маркевич, В. П. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Хируненко, Л. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-22T17:13:44Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-22T17:13:44Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 168-171. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49736 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и эффекта Холла идентифицированы комплексы Sn-V в облученных кристаллах Ge, изучены их электронные свойства и термическая устойчивость. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Электронные свойства комплексов олово-вакансия в кристаллах германия | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| В.В. Литвинов, Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.П. Маркевич, С.Б. Ластовский, Л.И. Хируненко.pdf | 263,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.