Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49736
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛитвинов, В. В.-
dc.contributor.authorПокотило, Ю. М.-
dc.contributor.authorПетух, А. Н.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorХируненко, Л. И.-
dc.date.accessioned2013-10-22T17:13:44Z-
dc.date.available2013-10-22T17:13:44Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 168-171.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49736-
dc.description.abstractВ данной работе методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и эффекта Холла идентифицированы комплексы Sn-V в облученных кристаллах Ge, изучены их электронные свойства и термическая устойчивость.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleЭлектронные свойства комплексов олово-вакансия в кристаллах германияru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.