Изменение структурного состояния приповерхностных слоев кристаллов кремния при комбинированном воздействии малодозового рентгеновского излучения и слабого магнитного поля

Abstract

В данной работе были изучены изменения в структуре кремния, обусловленные, как комбинированным влиянием малодозового рентгеновского излучения и слабого магнитного поля, так и самостоятельным рентгеновским воздействием. Откликом на используемую в работе рентгеновскую и магнитную обработку кристаллов Si выступали дифрактометрические зависимости (кривые качания) и фиксируемый на их основе параметр ω(C), соответствующий полуширине кривой качания. Исследования позволили получить зависимость параметра ω(С) от накопительной дозы рентгеновского облучения. Полученный результат свидетельствует о том, что с увеличением дозы рентгеновского облучения параметр ω(С) уменьшается. Выявленный эффект может быть связан с релаксацией внутренних напряжений в приповерхностных слоях кремния, подвергшихся рентгеновской обработке. Последнее указывает на уменьшение внутренних напряжений и на повышение степени упорядочения приповерхностного слоя.