Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49732
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorКарась, В. И.-
dc.contributor.authorМалышев, В. С.-
dc.contributor.authorСорока, С. А.-
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.date.accessioned2013-10-22T16:38:12Z-
dc.date.available2013-10-22T16:38:12Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 153-156.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49732-
dc.description.abstractВ данной работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на характеристики тестовых элементов КМОП/КНИ БИС (транзисторы и конденсаторы) в активном и пассивном электрическом режиме.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРадиационные эффекты в МОП/КНИ структурахru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2010. Материалы и структуры современной электроники

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.