Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49706
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Толкачева, Е. А. | - |
dc.contributor.author | Мурин, Л. И. | - |
dc.date.accessioned | 2013-10-22T13:42:45Z | - |
dc.date.available | 2013-10-22T13:42:45Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 124-127. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49706 | - |
dc.description.abstract | В данной работе методом ИК поглощения исследовано поведение кислородосодержащих дефектов в температурном диапазоне 100–350ºC в образцах кремния (Cz-Si), выращенных по методу Чохральского, облученных различными частицами (быстрыми электронами и нейтронами). | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Колебательные моды комплексов дивакансия-кислород и тривакансия-кислород в кремнии | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин.pdf | 254,69 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.