Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49706
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТолкачева, Е. А.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.date.accessioned2013-10-22T13:42:45Z-
dc.date.available2013-10-22T13:42:45Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 124-127.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49706-
dc.description.abstractВ данной работе методом ИК поглощения исследовано поведение кислородосодержащих дефектов в температурном диапазоне 100–350ºC в образцах кремния (Cz-Si), выращенных по методу Чохральского, облученных различными частицами (быстрыми электронами и нейтронами).ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleКолебательные моды комплексов дивакансия-кислород и тривакансия-кислород в кремнииru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2010. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин.pdf254,69 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.