Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48830
Заглавие документа: Вакуумное осаждение и импульсная модификация тонких пленок Ge на Si. Структура и фотолюминесценция
Авторы: Баталов, Р. И.
Баязитов, Р. М.
Новиков, Г. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Аннотация: Изучено вакуумное осаждение пленок Ge на подложки Si методом магнетронного распыления. В процессе осаждения варьировалось время распыления и температура подложки. Проведен наносекундный импульсный отжиг осажденных пленок Ge мощными лазерными или ионными пучками. Изучена зависимость структуры и оптических свойств пленок Ge/Si от параметров импульсных обработок.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48830
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Баталов.pdf214,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.