Вакуумное осаждение и импульсная модификация тонких пленок Ge на Si. Структура и фотолюминесценция

Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48830

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Баталов, Р. И.	-
dc.contributor.author	Баязитов, Р. М.	-
dc.contributor.author	Новиков, Г. А.	-
dc.date.accessioned	2013-10-11T09:18:34Z	-
dc.date.available	2013-10-11T09:18:34Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/48830	-
dc.description.abstract	Изучено вакуумное осаждение пленок Ge на подложки Si методом магнетронного распыления. В процессе осаждения варьировалось время распыления и температура подложки. Проведен наносекундный импульсный отжиг осажденных пленок Ge мощными лазерными или ионными пучками. Изучена зависимость структуры и оптических свойств пленок Ge/Si от параметров импульсных обработок.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Вакуумное осаждение и импульсная модификация тонких пленок Ge на Si. Структура и фотолюминесценция	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Баталов.pdf		214,6 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar