Модификация радиационных дефектов в Si фоновыми примесями

Abstract

Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в кремнии. Энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, но её величина зависит от фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на эту же величину. Междоузельный атом кремния изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне кремния.