Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48764Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Долголенко, А. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-10T13:27:37Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-10T13:27:37Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48764 | - |
| dc.description.abstract | Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в кремнии. Энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, но её величина зависит от фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на эту же величину. Междоузельный атом кремния изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне кремния. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Модификация радиационных дефектов в Si фоновыми примесями | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Долголенко-3.pdf | 389,13 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.