Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48764
Title: Модификация радиационных дефектов в Si фоновыми примесями
Authors: Долголенко, А. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в кремнии. Энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, но её величина зависит от фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на эту же величину. Междоузельный атом кремния изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне кремния.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48764
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Долголенко-3.pdf389,13 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.