Модификация радиационных дефектов в Ge фоновыми примесями

Abstract

Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в германии: энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, а её величина зависит от природы фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на туже самую величину. Междоузельный атом германия изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне германия.