Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48758| Заглавие документа: | Модификация радиационных дефектов в Ge фоновыми примесями |
| Авторы: | Долголенко, А. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2013 |
| Аннотация: | Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в германии: энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, а её величина зависит от природы фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на туже самую величину. Междоузельный атом германия изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне германия. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48758 |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Долголенко-1.pdf | 300,22 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.