Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48758
Title: Модификация радиационных дефектов в Ge фоновыми примесями
Authors: Долголенко, А. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Предложена модель модификации основных уровней известных радиационных дефектов в германии: энергия Hubbard является независимой от числа электронов на радиационном дефекте, а её величина зависит от природы фоновых примесей вблизи вакансионного дефекта. Если вблизи вакансионного дефекта расположен междоузельный атом кислорода, то энергия отрицательно заряженного акцепторного дефекта понижается на 0,06 эВ, а донорного повышается на туже самую величину. Междоузельный атом германия изменяет уровни дефекта на 0,03 эВ. Атом углерода в междоузлии изменяет энергию вакансионного дефекта на 0,035 эВ, но в противоположном направлении. Модификация вакансионных дефектов не изменяет энергию нейтрального уровня дефекта в запрещённой зоне германия.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48758
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Долголенко-1.pdf300,22 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.