Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38151| Заглавие документа: | ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ |
| Авторы: | Богатырев, Ю. В. Коршунов, Ф. П. Ластовский, С. Б. Турцевич, А. С. Шведов, С. В. Белоус, А. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.116-119 |
| Серия/Номер: | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38151 |
| ISBN: | 978-985-553-079-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Богатырев.pdf | 276,95 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.