Моделирование эволюции собственных дефектов в кремнии

Abstract

Ионная имплантация является одним из основных этапов в технологии производства современных интегральных схем, поэтому процессы формирования кластеров собственных дефектов в ионно-облученном кремнии привлекают значительное внимание. Расчеты из первых принципов и методы классической молекулярной динамики (МД) используются для нахождения определяющих параметров дефектообразования, таких, как энергия связи, барьерная энергия миграции при диффузии, энергии формирования и др. Тем не менее, используя эти методы, невозможно отслеживать динамику системы в процессе облучения кремния и его отжига.