Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/344338| Title: | Механические напряжения в пленках SiNx при химическом осаждении из газовой фазы в плазме высокой плотности |
| Authors: | Ковальчук, Н.С. Демидович, С.А. Власукова, Л.А. Пархоменко, И.Н. Комаров, Ф.Ф. |
| Open Researcher and Contributor ID: | 0000-0001-8273-6908 |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Российская академия наук, Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН |
| Citation: | Неорганические материалы. 2022;Т. 58(9): С. 938-944. |
| Abstract: | Пленки SiN<sub><i>x</i></sub> с низкими механическими напряжениями синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси SiH<sub>4</sub> + N<sub>2</sub> + Ar. Обогащенные азотом пленки SiN<sub><i>x</i></sub> со сжимающими напряжениями от –10 до –50 МПа получены при [SiH<sub>4</sub>]/[N<sub>2</sub>] от 0.55 до 1.0 и мощности ICP-источника в 600 Вт. Подъем мощности источника при прочих неизменных условиях осаждения приводит к возрастанию напряжений от –125 МПа при 300 Вт до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения от 25 до 350°С существенно не влияет на уровень напряжений и показатель преломления, а также на скорость роста SiN<sub><i>x</i></sub>. Оценен дрейф остаточных напряжений в течение трех недель после осаждения, а также содержание кислорода в пленках SiN<sub><i>x</i></sub> в зависимости от режима осаждения. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/344338 |
| DOI: | 10.31857/S0002337X2209007X. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Ковальчук.pdf | 718,54 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.