Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342343| Заглавие документа: | Simulation of the pinch effect in high current diodes |
| Авторы: | Anishchenko, S.V. Baryshevsky, V.G. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0283-5795 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Kovcheg |
| Библиографическое описание источника: | Plasma physics and plasma technology, Minsk, Belarus, 17–21 сентября 2012 года. Vol. Volume I. – Minsk, Belarus: Kovcheg, 2012. – P. 76-79. |
| Аннотация: | In the present paper, a thorough consideration is given to the explosive electron emission in high-current diodes. The method has been suggested for numerical simulation of the high-current diode behavior. The distinction of this method is that the normal component of the electric field across the cathode surface is not deliberately set to zero, but vanishes in the normal course of events as a result of complicated particle dynamics near the cathode surface. The performed analysis enabled developing the program for calculation of the charged-particle dynamics in a high-current diode under the pinch effect. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342343 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Статьи НИУ «Институт ядерных проблем» |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.