Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342343
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorAnishchenko, S.V.-
dc.contributor.authorBaryshevsky, V.G.-
dc.date.accessioned2026-02-24T11:50:38Z-
dc.date.available2026-02-24T11:50:38Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationPlasma physics and plasma technology, Minsk, Belarus, 17–21 сентября 2012 года. Vol. Volume I. – Minsk, Belarus: Kovcheg, 2012. – P. 76-79.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/342343-
dc.description.abstractIn the present paper, a thorough consideration is given to the explosive electron emission in high-current diodes. The method has been suggested for numerical simulation of the high-current diode behavior. The distinction of this method is that the normal component of the electric field across the cathode surface is not deliberately set to zero, but vanishes in the normal course of events as a result of complicated particle dynamics near the cathode surface. The performed analysis enabled developing the program for calculation of the charged-particle dynamics in a high-current diode under the pinch effect.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherKovchegru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleSimulation of the pinch effect in high current diodesru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.orcid0000-0002-0283-5795ru
Располагается в коллекциях:Статьи НИУ «Институт ядерных проблем»

Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.