Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342240| Заглавие документа: | Оптические и электрофизические свойства тонких пленок оксида цинка, легированных скандием и полученных методом лазерного осаждения |
| Другое заглавие: | Optical and electrophysical properties of doped with scandium thin zinc oxide films obtained by laser deposition |
| Авторы: | Босак, Н.А. Чумаков, А.Н. Шевченок, А,А. Баран, Л.В. Кароза, А.Г. Малютина-Бронская, В.В. Райченок, Т.Ф. Сугак, М.Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Библиографическое описание источника: | Журнал прикладной спектроскопии.2020;Т. 87(5): С. 763-769. |
| Аннотация: | Методом высокочастотного импульсно-периодического (f ~ 10-15 кГц) лазерного воздействия с длиной волны l = 1.064 мкм и плотностью мощности q = 85 МВт/см<sup>2</sup> на керамику из оксида цинка, легированную оксидом скандия, при давлении в вакуумной камере p = 2 × 10<sup>-2</sup> мм рт. ст. получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Изучена морфология полученных пленок с помощью атомно-силовой микроскопии. Выявлены особенности спектров пропускания в видимой, ближней и средней ИК-областях. Полученные при возбуждении разными длинами волн спектры люминесценции практически не изменяются. Проведен анализ электрофизических свойств гетероструктуры ZnO+0.9%Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si. Установлено, что основным механизмом проводимости является ток, ограниченный пространственным зарядом в пленке оксида с глубокими ловушками. |
| Аннотация (на другом языке): | Anostructured thin films on a silicon substrate were obtained using a high-frequency pulse-periodic f ~ 10-15 kHz laser action at a wavelength l = 1.064 µm, a power density q = 85 MW/cm<sup>2</sup>, and a pressure in a vacuum chamber p = 2×10<sup>-2 </sup>mm Hg on zinc oxide ceramics doped with scandium oxide. The morphology of the obtained films was studied using atomic force microscopy. The features of transmission spectra in the visible, near and middle infrared regions were revealed. The luminescence spectra obtained upon excitation by different wavelengths were practically unchanged. The electrophysical properties of the ZnO + 0.9% Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si heterostructure were analyzed. It is established that the main conduction mechanism is the current limited by the space charge in the oxide film with deep traps. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342240 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 697-960-1-SM.pdf | 444,96 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.