Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342240
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБосак, Н.А.-
dc.contributor.authorЧумаков, А.Н.-
dc.contributor.authorШевченок, А,А.-
dc.contributor.authorБаран, Л.В.-
dc.contributor.authorКароза, А.Г.-
dc.contributor.authorМалютина-Бронская, В.В.-
dc.contributor.authorРайченок, Т.Ф.-
dc.contributor.authorСугак, М.Г.-
dc.date.accessioned2026-02-20T10:50:23Z-
dc.date.available2026-02-20T10:50:23Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЖурнал прикладной спектроскопии.2020;Т. 87(5): С. 763-769.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/342240-
dc.description.abstractМетодом высокочастотного импульсно-периодического (f ~ 10-15 кГц) лазерного воздействия с длиной волны l = 1.064 мкм и плотностью мощности q = 85 МВт/см<sup>2</sup> на керамику из оксида цинка, легированную оксидом скандия, при давлении в вакуумной камере p = 2 × 10<sup>-2</sup> мм рт. ст. получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Изучена морфология полученных пленок с помощью атомно-силовой микроскопии. Выявлены особенности спектров пропускания в видимой, ближней и средней ИК-областях. Полученные при возбуждении разными длинами волн спектры люминесценции практически не изменяются. Проведен анализ электрофизических свойств гетероструктуры ZnO+0.9%Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si. Установлено, что основным механизмом проводимости является ток, ограниченный пространственным зарядом в пленке оксида с глубокими ловушками.ru
dc.language.isoruru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОптические и электрофизические свойства тонких пленок оксида цинка, легированных скандием и полученных методом лазерного осажденияru
dc.title.alternativeOptical and electrophysical properties of doped with scandium thin zinc oxide films obtained by laser depositionru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeAnostructured thin films on a silicon substrate were obtained using a high-frequency pulse-periodic f ~ 10-15 kHz laser action at a wavelength l = 1.064 µm, a power density q = 85 MW/cm<sup>2</sup>, and a pressure in a vacuum chamber p = 2×10<sup>-2 </sup>mm Hg on zinc oxide ceramics doped with scandium oxide. The morphology of the obtained films was studied using atomic force microscopy. The features of transmission spectra in the visible, near and middle infrared regions were revealed. The luminescence spectra obtained upon excitation by different wavelengths were practically unchanged. The electrophysical properties of the ZnO + 0.9% Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si heterostructure were analyzed. It is established that the main conduction mechanism is the current limited by the space charge in the oxide film with deep traps.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
697-960-1-SM.pdf444,96 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.