Влияние количества квантовых ям на эффективность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP

Ушаков, Д.В.; Афоненко, А.А.; Алешкин, В.Я.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341459

Title:	Влияние количества квантовых ям на эффективность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP
Other Titles:	Effect of the Number of Quantum Wells on the Lasing Efficiency of Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP Laser Structure
Authors:	Ушаков, Д.В. Афоненко, А.А. Алешкин, В.Я.
Keywords:	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2013
Publisher:	Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси
Citation:	Полупроводниковые лазеры и системы на их основе : Сборник статей, Минск, 28–31 мая 2013 года. – Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. – С. 49-52.
Abstract:	Развита модель расчета мощностных характеристик лазерных структур с учетом неоднородного возбуждения квантовых ям (КЯ), процессов рекомбинации в барьерных областях и эффектов нелинейного усиления. Показано, что для структур Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP при увеличении числа КЯ мощность генерации сначала существенно возрастает, затем незначительно снижается. При этом в широком диапазоне токов инжекции оптимальное количество квантовых ям составляет 5±1. Неоднородность возбуждения КЯ растет с увеличением тока инжекции и приводит к снижению мощности генерации по сравнению с однородным возбуждением.
Abstract (in another language):	A model for calculation of power characteristics of the laser structures with taking into account the inhomogeneous excitation of quantum wells, recombination processes in the barrier region and the effects of nonlinear gain has been developed. It has been shown that for Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP structures the laser power initially increases significantly with the increase of number of QWs and then reduces slightly. The optimum number of quantum wells is 5 ± 1 for a wide range of injection currents. The inhomogeneity of the excitation of QWs increases with the injection current and reduces the output power in comparison to the homogeneous excitation.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/341459
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Ушаков2 .pdf		374,6 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar