Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Статьи сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341459
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУшаков, Д.В.-
dc.contributor.authorАфоненко, А.А.-
dc.contributor.authorАлешкин, В.Я.-
dc.date.accessioned2026-02-10T13:58:40Z-
dc.date.available2026-02-10T13:58:40Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationПолупроводниковые лазеры и системы на их основе : Сборник статей, Минск, 28–31 мая 2013 года. – Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. – С. 49-52.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/341459-
dc.description.abstractРазвита модель расчета мощностных характеристик лазерных структур с учетом неоднородного возбуждения квантовых ям (КЯ), процессов рекомбинации в барьерных областях и эффектов нелинейного усиления. Показано, что для структур Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP при увеличении числа КЯ мощность генерации сначала существенно возрастает, затем незначительно снижается. При этом в широком диапазоне токов инжекции оптимальное количество квантовых ям составляет 5±1. Неоднородность возбуждения КЯ растет с увеличением тока инжекции и приводит к снижению мощности генерации по сравнению с однородным возбуждением.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнститут физики им. Б.И. Степанова НАН Беларусиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleВлияние количества квантовых ям на эффективность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInPru
dc.title.alternativeEffect of the Number of Quantum Wells on the Lasing Efficiency of Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP Laser Structureru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeA model for calculation of power characteristics of the laser structures with taking into account the inhomogeneous excitation of quantum wells, recombination processes in the barrier region and the effects of nonlinear gain has been developed. It has been shown that for Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP structures the laser power initially increases significantly with the increase of number of QWs and then reduces slightly. The optimum number of quantum wells is 5 ± 1 for a wide range of injection currents. The inhomogeneity of the excitation of QWs increases with the injection current and reduces the output power in comparison to the homogeneous excitation.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Ушаков2 .pdf374,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.