Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340659| Заглавие документа: | Внутрирезонаторное ВКР на кристалле CaMbO 4 и ПГС на кристалле КТP в микрочип лазерах с диодной накачкой |
| Авторы: | Буракевич, В.Н. Войтиков, С.В. Лисинецкий, В.А. Демидович, А.А. Грабчиков, А.С. Коржик, М.В. Дашкевич, В.И. Данаилов, М. Апанасевич, П.А. Шкадаревич, А.П. Орлович, В.А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2007 |
| Издатель: | Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси |
| Библиографическое описание источника: | Полупроводниковые лазеры и системы на их основе : Сборник статей, Минск, 04–08 июня 2007 года. – Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2007. –С. 88-91 |
| Аннотация: | В данной работе впервые реализовано и исследовано внутрирезонаторное ВКР-преобразование частоты микрочип лазера с использованием кристалла CaMbO4 . |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340659 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Статьи НИУ «Институт ядерных проблем» |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Коржик1.pdf | 292,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.