Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. НИУ «Институт ядерных проблем»
  3. Статьи НИУ «Институт ядерных проблем»
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340659
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБуракевич, В.Н.-
dc.contributor.authorВойтиков, С.В.-
dc.contributor.authorЛисинецкий, В.А.-
dc.contributor.authorДемидович, А.А.-
dc.contributor.authorГрабчиков, А.С.-
dc.contributor.authorКоржик, М.В.-
dc.contributor.authorДашкевич, В.И.-
dc.contributor.authorДанаилов, М.-
dc.contributor.authorАпанасевич, П.А.-
dc.contributor.authorШкадаревич, А.П.-
dc.contributor.authorОрлович, В.А.-
dc.date.accessioned2026-01-23T12:10:52Z-
dc.date.available2026-01-23T12:10:52Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationПолупроводниковые лазеры и системы на их основе : Сборник статей, Минск, 04–08 июня 2007 года. – Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2007. –С. 88-91ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340659-
dc.description.abstractВ данной работе впервые реализовано и исследовано внутрирезонаторное ВКР-преобразование частоты микрочип лазера с использованием кристалла CaMbO4 .ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнститут физики им. Б.И. Степанова НАН Беларусиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleВнутрирезонаторное ВКР на кристалле CaMbO 4 и ПГС на кристалле КТP в микрочип лазерах с диодной накачкойru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Appears in Collections:Статьи НИУ «Институт ядерных проблем»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Коржик1.pdf292,37 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.