Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340630Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Uglov, V.V. | - |
| dc.contributor.author | Kholad, V.M. | - |
| dc.contributor.author | Grinchuk, P.S. | - |
| dc.contributor.author | Kiyashko, M.M. | - |
| dc.contributor.author | Ivanov, I.A. | - |
| dc.contributor.author | Kozlovskiy, A.L. | - |
| dc.contributor.author | Zdorovets, M.V. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-01-23T09:46:34Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-23T09:46:34Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Plasma physics and plasma technology (PPPT-10) : CONTRIBUTED PAPERS, Minsk, 12–16 сентября 2022 года. – Minsk: «Kovcheg», 2022. – P. 213-216 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340630 | - |
| dc.description.abstract | The structural and phase state of the initial and irradiated silicon carbide samples was studied by X-ray diffraction analysis (XRD), atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM). | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Kovcheg | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Microstructure and phase state of silicon carbide irradiated with helium ions | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.orcid | 0000-0003-1929-4996 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Углов5.pdf | 1,13 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.