Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340586| Title: | Модель радиационных изменений рабочих характеристик iGBT транзисторов |
| Other Titles: | Model of Shift of iGBT Operating Characteristics under Irradiation / Miskiewicz Sergei, Yuvchenko Vera, Komarov Fadei |
| Authors: | Мискевич, С. А. Ювченко, В. Н. Комаров, Ф. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 295-297. |
| Abstract: | Предложена модель радиационных изменений рабочих характеристик интегральных iGBT транзисторов на кремнии. Приведены результаты расчета сдвига порогового напряжения и выходные характеристики при облучении потоком протонов с энергией до 950 кэВ и дозами до 3.7х10 15 см-2 |
| Abstract (in another language): | The model of radiation-induced changes in operating characteristics of silicon isolated-gate bipolar transistors is developed. The simulation results for the threshold voltage, output voltage-current characteristics of the iGBT under the proton irradiation (up to 950 keV, 3.7x10 15 cm-2) are shown |
| Description: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation Influence on the Structure and Properties of Materials |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340586 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 295-297.pdf | 116,31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.