Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340586
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМискевич, С. А.
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.date.accessioned2026-01-22T14:40:09Z-
dc.date.available2026-01-22T14:40:09Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 295-297.
dc.identifier.issn2663-9939 (print)
dc.identifier.issn2706-9060 (online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340586-
dc.descriptionСекция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation Influence on the Structure and Properties of Materials
dc.description.abstractПредложена модель радиационных изменений рабочих характеристик интегральных iGBT транзисторов на кремнии. Приведены результаты расчета сдвига порогового напряжения и выходные характеристики при облучении потоком протонов с энергией до 950 кэВ и дозами до 3.7х10 15 см-2
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМодель радиационных изменений рабочих характеристик iGBT транзисторов
dc.title.alternativeModel of Shift of iGBT Operating Characteristics under Irradiation / Miskiewicz Sergei, Yuvchenko Vera, Komarov Fadei
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe model of radiation-induced changes in operating characteristics of silicon isolated-gate bipolar transistors is developed. The simulation results for the threshold voltage, output voltage-current characteristics of the iGBT under the proton irradiation (up to 950 keV, 3.7x10 15 cm-2) are shown
Располагается в коллекциях:2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
295-297.pdf116,31 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.