Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340542| Title: | Природа светоизлучающих дефектов в кремнии, возникающих при облучении системы SiO2/Si |
| Other Titles: | The Nature of Light-Emitting Defects in Silicon Arising during Irradiation of the SiO2/Si System / Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Yablonsky A.N., Yurasov D.V., Zakharov V.E., Andreev B.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. |
| Authors: | Никольская, А. А. Королев, Д. С. Яблонский, А. Н. Юрасов, Д. В. Захаров, В. Е. Андреев, Б. А. Конаков, А. А. Тетельбаум, Д. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 163-165. |
| Abstract: | Одним из перспективных вариантов решения задачи повышения излучательной способности кремния является использование ионной имплантации. При ионной имплантации в кремнии образуются точечные дефекты (комплексы), которые обладают достаточно эффективной люминесценцией и могут быть использованы как в «классической» оптоэлектронике, так и в качестве оптических кубитов в квантово-механических фотонных устройствах. В настоящей работе проведено исследование оптических свойств кремния, покрытого термической пленкой SiO2 и подвергнутого ионному облучению ионами криптона с последующим отжигом. Обнаружено, что при определенных параметрах исходных структур, режимов имплантации и отжига в такой системе наблюдается интенсивная фотолюминесценция в ИК-области спектра при λ ≈ 1240 нм (линия WM) |
| Abstract (in another language): | One of the promising options for solving the problem of increasing the emissivity of silicon is the use of ion implantation. Ion implantation in silicon produces point defects (complexes) that have fairly effective luminescence and can be used both in "classical" optoelectronics and as optical qubits in quantum-mechanical photonic devices. In this paper, we study the optical properties of silicon coated with a thermal SiO2 film and subjected to ion irradiation with krypton ions followed by annealing. It was found that, for certain parameters of the initial structures, implantation and annealing modes, intense photoluminescence is observed in the IR region of the spectrum at λ ≈ 1240 nm (WM line) |
| Description: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340542 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Sponsorship: | Исследование выполнено при поддержке Программы стратегического академического лидерства «Приоритет 2030» Министерства науки и высшего образования РФ. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 163-165.pdf | 118,03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.