Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340542
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНикольская, А. А.
dc.contributor.authorКоролев, Д. С.
dc.contributor.authorЯблонский, А. Н.
dc.contributor.authorЮрасов, Д. В.
dc.contributor.authorЗахаров, В. Е.
dc.contributor.authorАндреев, Б. А.
dc.contributor.authorКонаков, А. А.
dc.contributor.authorТетельбаум, Д. И.
dc.date.accessioned2026-01-22T14:39:58Z-
dc.date.available2026-01-22T14:39:58Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 163-165.
dc.identifier.issn2663-9939 (print)
dc.identifier.issn2706-9060 (online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340542-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractОдним из перспективных вариантов решения задачи повышения излучательной способности кремния является использование ионной имплантации. При ионной имплантации в кремнии образуются точечные дефекты (комплексы), которые обладают достаточно эффективной люминесценцией и могут быть использованы как в «классической» оптоэлектронике, так и в качестве оптических кубитов в квантово-механических фотонных устройствах. В настоящей работе проведено исследование оптических свойств кремния, покрытого термической пленкой SiO2 и подвергнутого ионному облучению ионами криптона с последующим отжигом. Обнаружено, что при определенных параметрах исходных структур, режимов имплантации и отжига в такой системе наблюдается интенсивная фотолюминесценция в ИК-области спектра при λ ≈ 1240 нм (линия WM)
dc.description.sponsorshipИсследование выполнено при поддержке Программы стратегического академического лидерства «Приоритет 2030» Министерства науки и высшего образования РФ.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleПрирода светоизлучающих дефектов в кремнии, возникающих при облучении системы SiO2/Si
dc.title.alternativeThe Nature of Light-Emitting Defects in Silicon Arising during Irradiation of the SiO2/Si System / Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Yablonsky A.N., Yurasov D.V., Zakharov V.E., Andreev B.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I.
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeOne of the promising options for solving the problem of increasing the emissivity of silicon is the use of ion implantation. Ion implantation in silicon produces point defects (complexes) that have fairly effective luminescence and can be used both in "classical" optoelectronics and as optical qubits in quantum-mechanical photonic devices. In this paper, we study the optical properties of silicon coated with a thermal SiO2 film and subjected to ion irradiation with krypton ions followed by annealing. It was found that, for certain parameters of the initial structures, implantation and annealing modes, intense photoluminescence is observed in the IR region of the spectrum at λ ≈ 1240 nm (WM line)
Располагается в коллекциях:2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
163-165.pdf118,03 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.