Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340500| Title: | Формирование омических контактов алюминий-поликремний методом быстрой термообработки |
| Other Titles: | Formation of Aluminum-Polysilicon Ohmic Contacts by Rapid Thermal Treatment / Pilipenko V.A., Shestovski D.V., Zhyhulin D.V., Anishchik V.M., Ponaryadov V.V. |
| Authors: | Пилипенко, В. А. Шестовский, Д. В. Жигулин, Д. В. Анищик, В. М. Понарядов, В. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 507-509. |
| Abstract: | Приведены результаты влияния быстрой термической обработки на этапе формирования омических контактов алюминий-поликремний в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники. Установлено, что быстрая термическая обработка (Tmax = 450 °С, 7 с, N2) не приводит к растворению поликремния в алюминии в отличие от стандартной термической обработки (Tmax = 450 °С, 20 мин, N2) при которой наблюдается полное растворение поликремния с последующим его образованием в виде крупных конгломератов. Способность поликремния растворяться в алюминии приводит к изменению величины контактного сопротивления алюминий-поликремний, что значительно сказывается на выходных характеристиках интегральных микросхем и выходе годных изделий. Величина контактного сопротивления зависит от вида термической обработки и механизма формирования омических контактов на границе раздела алюминий-поликремний. В данной работе быстрая термическая обработка приводит к уменьшению контактного сопротивления по сравнению с омическими контактами, на которых не проводилось температурное воздействие |
| Abstract (in another language): | The results of the influence of rapid thermal treatment at the stage of formation of ohmic contacts of aluminum-polysilicon in the technological process of production of microelectronic products are presented. It was established that rapid heat treatment (Tmax = 450 °С, 7 sec, N2) does not lead to the dissolution of polysilicon in aluminum, in contrast to standard heat treatment (Tmax = 450 °С, 20 min, N2), during which complete dissolution of polysilicon is observed, followed by its formation in the form of large conglomerates. The ability of polysilicon to dissolve in aluminum leads to a change in the value of the aluminum-polysilicon contact resistance, which significantly affects the output characteristics of integrated circuits and the yield of good products. The value of contact resistance depends on the type of heat treatment and the mechanism of formation of ohmic contacts at the aluminum-polysilicon interface. In this work, rapid heat treatment results in a decrease in contact resistance compared to ohmic contacts that were not subjected to temperature treatment |
| Description: | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340500 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 507-509.pdf | 119,37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.