Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340500| Заглавие документа: | Формирование омических контактов алюминий-поликремний методом быстрой термообработки |
| Другое заглавие: | Formation of Aluminum-Polysilicon Ohmic Contacts by Rapid Thermal Treatment / Pilipenko V.A., Shestovski D.V., Zhyhulin D.V., Anishchik V.M., Ponaryadov V.V. |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Шестовский, Д. В. Жигулин, Д. В. Анищик, В. М. Понарядов, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 507-509. |
| Аннотация: | Приведены результаты влияния быстрой термической обработки на этапе формирования омических контактов алюминий-поликремний в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники. Установлено, что быстрая термическая обработка (Tmax = 450 °С, 7 с, N2) не приводит к растворению поликремния в алюминии в отличие от стандартной термической обработки (Tmax = 450 °С, 20 мин, N2) при которой наблюдается полное растворение поликремния с последующим его образованием в виде крупных конгломератов. Способность поликремния растворяться в алюминии приводит к изменению величины контактного сопротивления алюминий-поликремний, что значительно сказывается на выходных характеристиках интегральных микросхем и выходе годных изделий. Величина контактного сопротивления зависит от вида термической обработки и механизма формирования омических контактов на границе раздела алюминий-поликремний. В данной работе быстрая термическая обработка приводит к уменьшению контактного сопротивления по сравнению с омическими контактами, на которых не проводилось температурное воздействие |
| Аннотация (на другом языке): | The results of the influence of rapid thermal treatment at the stage of formation of ohmic contacts of aluminum-polysilicon in the technological process of production of microelectronic products are presented. It was established that rapid heat treatment (Tmax = 450 °С, 7 sec, N2) does not lead to the dissolution of polysilicon in aluminum, in contrast to standard heat treatment (Tmax = 450 °С, 20 min, N2), during which complete dissolution of polysilicon is observed, followed by its formation in the form of large conglomerates. The ability of polysilicon to dissolve in aluminum leads to a change in the value of the aluminum-polysilicon contact resistance, which significantly affects the output characteristics of integrated circuits and the yield of good products. The value of contact resistance depends on the type of heat treatment and the mechanism of formation of ohmic contacts at the aluminum-polysilicon interface. In this work, rapid heat treatment results in a decrease in contact resistance compared to ohmic contacts that were not subjected to temperature treatment |
| Доп. сведения: | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340500 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 507-509.pdf | 119,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.