Устойчивые к химическому травлению пленки ICPCVD нитрида кремния с низкими остаточными напряжениями

Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492

Title:	Устойчивые к химическому травлению пленки ICPCVD нитрида кремния с низкими остаточными напряжениями
Other Titles:	Etch-Resistant Low-Stress ICPCVD Silicon Nitride Films / Kovalchuk Natalia, Demidovich Sergey, Vlasukova Liudmila, Parkhomenko Irina
Authors:	Ковальчук, Н. С. Демидович, С. А. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 483-485.
Abstract:	В работе анализируются уровень остаточных механических напряжений, показатель преломления и химическая стойкость пленок SiNx, полученных в реакторе индуктивно-связанной плазмы (inductive-coupled plasma, ICP) из смеси «SiH4-N2-Ar-He» в условиях повышенного давления (12 - 18 Па) при 400 - 500 °C. За счет повышения давления в рабочей камере удалось существенно снизить уровень остаточных напряжений в пленках SiNx. Значения показателя преломления пленок варьировали от 2.06 до 1.93 в зависимости от режима осаждения. Получены пленки SiNx со скоростью травления в 50%-ной HF в диапазоне (25 - 32 нм/мин), устойчивые к воздействию 40%-го раствора KOH при 90 °C
Abstract (in another language):	This study analyzes the residual mechanical stress, refractive index, and chemical resistance of SiNx films deposited in an inductively coupled plasma (ICP) reactor from a SiH4-N2-Ar-He gas mixture under elevated pressures (12-18Pa) at 400-500 °C. The refractive index ranged from 2.06 to 1.93 depending on deposition conditions. By increasing the pressure in the reaction chamber, it was possible to significantly reduce the level of residual stresses in the SiNx films. At [SiH4]/[N2] = 1.37, residual stresses ranged from -100 to +50 MPa at 12 Pa and -25 to +50 MPa at 15 Pa. For [SiH4]/[N2] = 1.49 and 400 °C, the etch rate in 50% HF was 25-32 nm/min, comparable to that of LPCVD films deposited at 700-900 °C. The highest resistance to KOH at 90 °C was observed for films deposited at 1000 W, 16 Pa, and 500 °C
Description:	Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492
ISSN:	2663-9939 (print) 2706-9060 (online)
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
483-485.pdf		125,87 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar