Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | |
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | |
| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T14:39:50Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T14:39:50Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 483-485. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492 | - |
| dc.description | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies | |
| dc.description.abstract | В работе анализируются уровень остаточных механических напряжений, показатель преломления и химическая стойкость пленок SiNx, полученных в реакторе индуктивно-связанной плазмы (inductive-coupled plasma, ICP) из смеси «SiH4-N2-Ar-He» в условиях повышенного давления (12 - 18 Па) при 400 - 500 °C. За счет повышения давления в рабочей камере удалось существенно снизить уровень остаточных напряжений в пленках SiNx. Значения показателя преломления пленок варьировали от 2.06 до 1.93 в зависимости от режима осаждения. Получены пленки SiNx со скоростью травления в 50%-ной HF в диапазоне (25 - 32 нм/мин), устойчивые к воздействию 40%-го раствора KOH при 90 °C | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Устойчивые к химическому травлению пленки ICPCVD нитрида кремния с низкими остаточными напряжениями | |
| dc.title.alternative | Etch-Resistant Low-Stress ICPCVD Silicon Nitride Films / Kovalchuk Natalia, Demidovich Sergey, Vlasukova Liudmila, Parkhomenko Irina | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | This study analyzes the residual mechanical stress, refractive index, and chemical resistance of SiNx films deposited in an inductively coupled plasma (ICP) reactor from a SiH4-N2-Ar-He gas mixture under elevated pressures (12-18Pa) at 400-500 °C. The refractive index ranged from 2.06 to 1.93 depending on deposition conditions. By increasing the pressure in the reaction chamber, it was possible to significantly reduce the level of residual stresses in the SiNx films. At [SiH4]/[N2] = 1.37, residual stresses ranged from -100 to +50 MPa at 12 Pa and -25 to +50 MPa at 15 Pa. For [SiH4]/[N2] = 1.49 and 400 °C, the etch rate in 50% HF was 25-32 nm/min, comparable to that of LPCVD films deposited at 700-900 °C. The highest resistance to KOH at 90 °C was observed for films deposited at 1000 W, 16 Pa, and 500 °C | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 483-485.pdf | 125,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.