Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492| Заглавие документа: | Устойчивые к химическому травлению пленки ICPCVD нитрида кремния с низкими остаточными напряжениями |
| Другое заглавие: | Etch-Resistant Low-Stress ICPCVD Silicon Nitride Films / Kovalchuk Natalia, Demidovich Sergey, Vlasukova Liudmila, Parkhomenko Irina |
| Авторы: | Ковальчук, Н. С. Демидович, С. А. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 483-485. |
| Аннотация: | В работе анализируются уровень остаточных механических напряжений, показатель преломления и химическая стойкость пленок SiNx, полученных в реакторе индуктивно-связанной плазмы (inductive-coupled plasma, ICP) из смеси «SiH4-N2-Ar-He» в условиях повышенного давления (12 - 18 Па) при 400 - 500 °C. За счет повышения давления в рабочей камере удалось существенно снизить уровень остаточных напряжений в пленках SiNx. Значения показателя преломления пленок варьировали от 2.06 до 1.93 в зависимости от режима осаждения. Получены пленки SiNx со скоростью травления в 50%-ной HF в диапазоне (25 - 32 нм/мин), устойчивые к воздействию 40%-го раствора KOH при 90 °C |
| Аннотация (на другом языке): | This study analyzes the residual mechanical stress, refractive index, and chemical resistance of SiNx films deposited in an inductively coupled plasma (ICP) reactor from a SiH4-N2-Ar-He gas mixture under elevated pressures (12-18Pa) at 400-500 °C. The refractive index ranged from 2.06 to 1.93 depending on deposition conditions. By increasing the pressure in the reaction chamber, it was possible to significantly reduce the level of residual stresses in the SiNx films. At [SiH4]/[N2] = 1.37, residual stresses ranged from -100 to +50 MPa at 12 Pa and -25 to +50 MPa at 15 Pa. For [SiH4]/[N2] = 1.49 and 400 °C, the etch rate in 50% HF was 25-32 nm/min, comparable to that of LPCVD films deposited at 700-900 °C. The highest resistance to KOH at 90 °C was observed for films deposited at 1000 W, 16 Pa, and 500 °C |
| Доп. сведения: | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340492 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 483-485.pdf | 125,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.