Импедансная и DLTS-спектроскопия структур Si3N4/n-Si, облученных высокоэнергетичными ионами: аннотация магистерской диссертации / Екатерина Александровна Ермакова; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Горбачук Н.И.

Ермакова, Екатерина Александровна

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/339296

Title:	Импедансная и DLTS-спектроскопия структур Si3N4/n-Si, облученных высокоэнергетичными ионами: аннотация магистерской диссертации / Екатерина Александровна Ермакова; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Горбачук Н.И.
Authors:	Ермакова, Екатерина Александровна
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники
Abstract:	Цель данной работы – исследование методом импедансной и DLTS-спектроскопии электрофизических свойств МДП-структур с нитридом кремния и изучение дефектов структур в объеме кремния и на границе раздела с диэлектриком. В данном исследовании впервые проведена оценка плотности поверхностных состояний в структурах Al/Si3N4/n-Si методом DLTS-спектроскопии, а также их сопоставление с эволюцией плотности поверхностных состояний, происходящей в результате облучения ионами гелия структур Al/Si3N4/n-Si.
Description:	Полный объем магистерской диссертации составляет 72 страницы, в том числе 47 иллюстраций, 3 таблицы. Список использованных источников содержит 58 наименований.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/339296
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Физическое материаловедение. 2025

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Реферат магистерской диссертации Ермакова 2025.pdf		100,71 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar