Импедансная и DLTS-спектроскопия структур Si3N4/n-Si, облученных высокоэнергетичными ионами: аннотация магистерской диссертации / Екатерина Александровна Ермакова; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Горбачук Н.И.

Abstract

Цель данной работы – исследование методом импедансной и DLTS-спектроскопии электрофизических свойств МДП-структур с нитридом кремния и изучение дефектов структур в объеме кремния и на границе раздела с диэлектриком. В данном исследовании впервые проведена оценка плотности поверхностных состояний в структурах Al/Si3N4/n-Si методом DLTS-спектроскопии, а также их сопоставление с эволюцией плотности поверхностных состояний, происходящей в результате облучения ионами гелия структур Al/Si3N4/n-Si.