Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337745| Заглавие документа: | Температурный коэффициент сопротивления структур Ti1-xAlxCuN/SiO2, осажденных методом магнетронного распыления |
| Другое заглавие: | Temperature coefficient of resistance of Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures deposited by magnetron sputtering / E. Y. Nesterova, V. A. Zaikov, F. F. Komarov, S. V. Konstantinov, V. A. Dyachenko |
| Авторы: | Нестерова, Е. Ю. Зайков, В. А. Комаров, Ф. Ф. Константинов, С. В. Дьяченко, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 411-415. |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления структур Ti1-xAlxCuN/SiO2, осажденных методом реактивного магнетронного распыления из композитной мишени TiAlCu на кремниевые подложки с термически выращенным слоем SiO2. Электрофизические измерения проводили по двухзондовой схеме с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-6. Структура и компонентный состав пленок исследовались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Обнаружено, что структуры Ti1-xAlxCuN/SiO2 с соотношением компонент x = Al / (Al+Ti) ≈ (0,55 - 0,63) имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и являются перспективными для разработки высокотемпературных термисторов |
| Аннотация (на другом языке): | The temperature dependence analysis of the resistance of Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures deposited by reactive magnetron sputtering from a TiAlCu composite target onto silicon substrates with a SiO2 layer is presented in the paper. Electrical measurements were performed using a two-probe scheme using an IPPP-6 semiconductor device parameter meter. The structure and component composition of the films were studied using scanning electron microscopy (SEM). It was found that Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures with a component ratio of x = Al / (Al+Ti) ≈ (0,55 - 0,63) have a negative temperature coefficient of resistance (TCR) and are promising for the development of high-temperature thermistor |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337745 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 411-415.pdf | 1,64 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.