Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2025. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337745
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНестерова, Е. Ю.
dc.contributor.authorЗайков, В. А.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.contributor.authorКонстантинов, С. В.
dc.contributor.authorДьяченко, В. А.
dc.date.accessioned2025-11-26T12:43:02Z-
dc.date.available2025-11-26T12:43:02Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 411-415.
dc.identifier.isbn978-985-881-861-6
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/337745-
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления структур Ti1-xAlxCuN/SiO2, осажденных методом реактивного магнетронного распыления из композитной мишени TiAlCu на кремниевые подложки с термически выращенным слоем SiO2. Электрофизические измерения проводили по двухзондовой схеме с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-6. Структура и компонентный состав пленок исследовались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Обнаружено, что структуры Ti1-xAlxCuN/SiO2 с соотношением компонент x = Al / (Al+Ti) ≈ (0,55 - 0,63) имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и являются перспективными для разработки высокотемпературных термисторов
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleТемпературный коэффициент сопротивления структур Ti1-xAlxCuN/SiO2, осажденных методом магнетронного распыления
dc.title.alternativeTemperature coefficient of resistance of Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures deposited by magnetron sputtering / E. Y. Nesterova, V. A. Zaikov, F. F. Komarov, S. V. Konstantinov, V. A. Dyachenko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe temperature dependence analysis of the resistance of Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures deposited by reactive magnetron sputtering from a TiAlCu composite target onto silicon substrates with a SiO2 layer is presented in the paper. Electrical measurements were performed using a two-probe scheme using an IPPP-6 semiconductor device parameter meter. The structure and component composition of the films were studied using scanning electron microscopy (SEM). It was found that Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures with a component ratio of x = Al / (Al+Ti) ≈ (0,55 - 0,63) have a negative temperature coefficient of resistance (TCR) and are promising for the development of high-temperature thermistor
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл РазмерФормат 
411-415.pdf1,64 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.