Выращивание эпитаксиальных слоев кремния, легированных бором, с использованием трихлорсилана и диборана

Наливайко, О. Ю.; Рудницкий, К. В.; Шамплет, А. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337714

Title:	Выращивание эпитаксиальных слоев кремния, легированных бором, с использованием трихлорсилана и диборана
Other Titles:	Epitaxial growth of boron doped silicon layers using trichlorosilane and diborane / O. Y. Nalivaiko, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet
Authors:	Наливайко, О. Ю. Рудницкий, К. В. Шамплет, А. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 283-287.
Abstract:	Проведено исследование процесса эпитаксиального наращивания слоев кремния, легированных бором, в низкопрофильном горизонтальном реакторе с плоским подложкодержателем в системе SiHCl3-H2-B2H6. Определены режимы, обеспечивающие формирование пленок кремния со скоростью роста 1,0 – 2,0 мкм/мин и однородностью толщины не хуже ±2,0 %. Показано, что с точки зрения управляемости процессом по концентрации бора целесообразно проводить наращивание слоев кремния при температуре не выше 1060°C
Abstract (in another language):	The epitaxial growth of boron-doped silicon layers in a SiHCl3-H2-B2H6 system using a low-profile horizontal reactor with a flat substrate holder was studied. Silicon epitaxial growth regimes were determined that ensure the formation of epitaxial silicon films with a growth rate of 1.0 to 2.0 μm/min and the thickness uniformity less than ± 2,0 %. It was shown that, in terms of process controllability based on boron concentration, it is advisable to grow epitaxial silicon layers at temperatures no higher than 1060°C
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337714
ISBN:	978-985-881-861-6
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Size	Format
283-287.pdf	1,67 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar