Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2025. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337714
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.
dc.contributor.authorРудницкий, К. В.
dc.contributor.authorШамплет, А. В.
dc.date.accessioned2025-11-26T12:42:57Z-
dc.date.available2025-11-26T12:42:57Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 283-287.
dc.identifier.isbn978-985-881-861-6
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/337714-
dc.description.abstractПроведено исследование процесса эпитаксиального наращивания слоев кремния, легированных бором, в низкопрофильном горизонтальном реакторе с плоским подложкодержателем в системе SiHCl3-H2-B2H6. Определены режимы, обеспечивающие формирование пленок кремния со скоростью роста 1,0 – 2,0 мкм/мин и однородностью толщины не хуже ±2,0 %. Показано, что с точки зрения управляемости процессом по концентрации бора целесообразно проводить наращивание слоев кремния при температуре не выше 1060°C
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleВыращивание эпитаксиальных слоев кремния, легированных бором, с использованием трихлорсилана и диборана
dc.title.alternativeEpitaxial growth of boron doped silicon layers using trichlorosilane and diborane / O. Y. Nalivaiko, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe epitaxial growth of boron-doped silicon layers in a SiHCl3-H2-B2H6 system using a low-profile horizontal reactor with a flat substrate holder was studied. Silicon epitaxial growth regimes were determined that ensure the formation of epitaxial silicon films with a growth rate of 1.0 to 2.0 μm/min and the thickness uniformity less than ± 2,0 %. It was shown that, in terms of process controllability based on boron concentration, it is advisable to grow epitaxial silicon layers at temperatures no higher than 1060°C
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл РазмерФормат 
283-287.pdf1,67 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.