Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337714| Заглавие документа: | Выращивание эпитаксиальных слоев кремния, легированных бором, с использованием трихлорсилана и диборана |
| Другое заглавие: | Epitaxial growth of boron doped silicon layers using trichlorosilane and diborane / O. Y. Nalivaiko, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Рудницкий, К. В. Шамплет, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 283-287. |
| Аннотация: | Проведено исследование процесса эпитаксиального наращивания слоев кремния, легированных бором, в низкопрофильном горизонтальном реакторе с плоским подложкодержателем в системе SiHCl3-H2-B2H6. Определены режимы, обеспечивающие формирование пленок кремния со скоростью роста 1,0 – 2,0 мкм/мин и однородностью толщины не хуже ±2,0 %. Показано, что с точки зрения управляемости процессом по концентрации бора целесообразно проводить наращивание слоев кремния при температуре не выше 1060°C |
| Аннотация (на другом языке): | The epitaxial growth of boron-doped silicon layers in a SiHCl3-H2-B2H6 system using a low-profile horizontal reactor with a flat substrate holder was studied. Silicon epitaxial growth regimes were determined that ensure the formation of epitaxial silicon films with a growth rate of 1.0 to 2.0 μm/min and the thickness uniformity less than ± 2,0 %. It was shown that, in terms of process controllability based on boron concentration, it is advisable to grow epitaxial silicon layers at temperatures no higher than 1060°C |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337714 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 283-287.pdf | 1,67 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.