Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337707
Заглавие документа: Фотогальванический эффект в напряженном монослое графена
Другое заглавие: Photogalvanic effect in strained graphene monolayer / A. V. Snegirev, V. M. Kovalev, M. V. Entin
Авторы: Снегирев, А. В.
Ковалев, В. М.
Энтин, М. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2025
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 259-261.
Аннотация: Данное исследование посвящено изучению фотогальванического эффекта (ФГЭ) в деформированном монослое графена с одной активной долиной. Микроскопическая теория ФГЭ была развита с использованием кинетического уравнения Больцмана. Мы рассчитали три вклада в ток: вклад, зависящий только от интенсивности падающего света, а также вклады, возникающие под действием линейной и циркулярной поляризации света
Аннотация (на другом языке): This research is focused on investigating photogalvanic effect (PGE) in strained graphen monolayer with only one active valley. The microscopic theory of PGE was developed using Bolzmann kinetic equation. We have calculated three contributions to the current: a contribution that depends only on the intensity of incident light, as well as contributions arising from the action of linear and circular polarization of light
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337707
ISBN: 978-985-881-861-6
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
259-261.pdf1,58 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.