Фотогальванический эффект в напряженном монослое графена

Снегирев, А. В.; Ковалев, В. М.; Энтин, М. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337707

Title:	Фотогальванический эффект в напряженном монослое графена
Other Titles:	Photogalvanic effect in strained graphene monolayer / A. V. Snegirev, V. M. Kovalev, M. V. Entin
Authors:	Снегирев, А. В. Ковалев, В. М. Энтин, М. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 259-261.
Abstract:	Данное исследование посвящено изучению фотогальванического эффекта (ФГЭ) в деформированном монослое графена с одной активной долиной. Микроскопическая теория ФГЭ была развита с использованием кинетического уравнения Больцмана. Мы рассчитали три вклада в ток: вклад, зависящий только от интенсивности падающего света, а также вклады, возникающие под действием линейной и циркулярной поляризации света
Abstract (in another language):	This research is focused on investigating photogalvanic effect (PGE) in strained graphen monolayer with only one active valley. The microscopic theory of PGE was developed using Bolzmann kinetic equation. We have calculated three contributions to the current: a contribution that depends only on the intensity of incident light, as well as contributions arising from the action of linear and circular polarization of light
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337707
ISBN:	978-985-881-861-6
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
259-261.pdf		1,58 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar