Численный анализ модового усиления AlGaN гетероструктур с двумя и тремя квантовыми ямами при оптической накачке

Тарасюк, Н. П.; Афоненко, А. А.; Луценко, Е. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337700

Title:	Численный анализ модового усиления AlGaN гетероструктур с двумя и тремя квантовыми ямами при оптической накачке
Other Titles:	Numerical analysis of the modal gain of AlGaN heterostructures with two and three quantum wells under optical pumping / N. P. Tarasiuk, А. А. Afonenko, Е. V. Lutsenko
Authors:	Тарасюк, Н. П. Афоненко, А. А. Луценко, Е. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 237-240.
Abstract:	Поведено моделирование лазерных AlGaN гетероструктур при оптической накачке. Рассчитан фактор оптического ограничения лазеров с двумя и тремя квантовыми ямами. Зонная диаграмма гетероструктуры находилась с учетом пьезоэффектов. Распределения концентрации носителей заряда получены с учетом профиля квадратов волновых функций электронов и дырок в квантовых ямах. При расчете усиления и спонтанной рекомбинации учитывались перекрытия волновых функций
Abstract (in another language):	Modeling of AlGaN laser heterostructures under optical pumping has been performed. The optical confinement factor for lasers with two and three quantum wells has been calculated. The band diagram of the heterostructure has been found taking into account piezoelectric effects. The concentration distributions of charge carriers have been obtained taking into account the profile of the squared wave functions of electrons and holes in quantum wells. Wave function overlaps have been taken into account when calculating gain and spontaneous recombination
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337700
ISBN:	978-985-881-861-6
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
237-240.pdf		1,63 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar