Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337700Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Тарасюк, Н. П. | |
| dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:54Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:54Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 237-240. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337700 | - |
| dc.description.abstract | Поведено моделирование лазерных AlGaN гетероструктур при оптической накачке. Рассчитан фактор оптического ограничения лазеров с двумя и тремя квантовыми ямами. Зонная диаграмма гетероструктуры находилась с учетом пьезоэффектов. Распределения концентрации носителей заряда получены с учетом профиля квадратов волновых функций электронов и дырок в квантовых ямах. При расчете усиления и спонтанной рекомбинации учитывались перекрытия волновых функций | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Численный анализ модового усиления AlGaN гетероструктур с двумя и тремя квантовыми ямами при оптической накачке | |
| dc.title.alternative | Numerical analysis of the modal gain of AlGaN heterostructures with two and three quantum wells under optical pumping / N. P. Tarasiuk, А. А. Afonenko, Е. V. Lutsenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Modeling of AlGaN laser heterostructures under optical pumping has been performed. The optical confinement factor for lasers with two and three quantum wells has been calculated. The band diagram of the heterostructure has been found taking into account piezoelectric effects. The concentration distributions of charge carriers have been obtained taking into account the profile of the squared wave functions of electrons and holes in quantum wells. Wave function overlaps have been taken into account when calculating gain and spontaneous recombination | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 237-240.pdf | 1,63 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.